多尺寸硅沟槽的填充方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711366194.7

申请日：

2017-12-18

公开(公告)号：

CN108122836A

公开(公告)日：

2018-06-05

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419

代理人：

曹明兰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-05	公开	公开
2021-11-02	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 21/768 申请公布日:20180605
2018-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20171218

共 50 条

[1]

深沟槽的硅外延填充方法 [P].

刘继全 ;

肖胜安 ;

季伟 ;

于源源 .

中国专利 :CN102956471A ,2013-03-06

[2]

IGBT栅极沟槽多晶硅的填充方法 [P].

刘继全 ;

孙勤 ;

李琳松 .

中国专利 :CN103035502A ,2013-04-10

[3]

一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法 [P].

张欣 .

中国专利 :CN107248494A ,2017-10-13

[4]

一种深沟槽的硅外延填充方法 [P].

刘继全 ;

季伟 ;

肖胜安 .

中国专利 :CN103094107B ,2013-05-08

[5]

刻蚀和填充深沟槽的方法 [P].

程晓华 ;

肖胜安 .

中国专利 :CN102280402A ,2011-12-14

[6]

同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法 [P].

刘继全 ;

钱志刚 ;

成鑫华 .

中国专利 :CN103035486B ,2013-04-10

[7]

用于深沟槽填充的多夹层结构 [P].

B·胡 ;

S·P·彭哈卡 ;

J·B·雅各布斯 .

中国专利 :CN107004632A ,2017-08-01

[8]

栅极沟槽填充方法 [P].

陆怡 ;

李昊 .

中国专利 :CN111244167A ,2020-06-05

[9]

用于沟槽的原位掺杂的多晶硅填充料 [P].

B·斯里尼瓦桑 ;

K·Q·勒 ;

C·怀特 ;

S·科威查罗恩库尔 ;

A·诺里斯 ;

B·J·费舍尔 .

中国专利 :CN115036212A ,2022-09-09

[10]

用于沟槽的原位掺杂的多晶硅填充料 [P].

B·斯里尼瓦桑 ;

K·Q·勒 ;

C·怀特 ;

S·科威查罗恩库尔 ;

A·诺里斯 ;

B·J·费舍尔 .

中国专利 :CN105702716A ,2016-06-22

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