一种封装结构及气密性封装方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311705907.3
申请日
2023-12-13
公开(公告)号
CN117509530A
公开(公告)日
2024-02-06
发明(设计)人
黄晟 黄立 周黄鹤 魏禹 万欢 张文华
申请人
武汉高芯科技有限公司
申请人地址
430205 湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼
IPC主分类号
B81B7/00
IPC分类号
B81B7/02 B81C1/00
代理机构
深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525
代理人
黄勇
法律状态
公开
国省代码
湖北省 武汉市
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共 50 条
[1]
气密性封装结构及封装方法 [P]. 
李诚 ;
蔡坚 ;
王谦 .
中国专利 :CN105977221B ,2016-09-28
[2]
MEMS气密性封装结构及封装方法 [P]. 
于大全 ;
李杨 ;
袁礼明 ;
翟玲玲 .
中国专利 :CN105621344A ,2016-06-01
[3]
一种气密性封装结构 [P]. 
赵晓娟 ;
孟朝锋 .
中国专利 :CN103794937A ,2014-05-14
[4]
MEMS气密性封装结构 [P]. 
于大全 ;
李杨 ;
袁礼明 ;
翟玲玲 .
中国专利 :CN205472635U ,2016-08-17
[5]
一种气密性及非气密性封装的散热结构 [P]. 
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袁世伟 .
中国专利 :CN109686708A ,2019-04-26
[6]
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中国专利 :CN201877437U ,2011-06-22
[7]
一种光器件封装中气密性封装结构 [P]. 
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孙旭东 .
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[8]
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楼洋 ;
李晗 ;
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[9]
用于MEMS的气密性封装结构和封装方法 [P]. 
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蔡坚 ;
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[10]
气密性封装波分复用结构及系统 [P]. 
杨勇 ;
彭寒勤 ;
黄君彬 ;
付全飞 ;
陈纪辉 ;
龙玲 .
中国专利 :CN214845886U ,2021-11-23