下电极组件及其等离子体处理装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202210980421.X
申请日
2022-08-16
公开(公告)号
CN117637420A
公开(公告)日
2024-03-01
发明(设计)人
胡增文 范光伟 侯剑秋 叶如彬
申请人
中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请人地址
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
IPC主分类号
H01J37/32
IPC分类号
H01L21/67
代理机构
上海元好知识产权代理有限公司 31323
代理人
包姝晴;张妍
法律状态
公开
国省代码
上海市 市辖区
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共 50 条
[1]
下电极组件及其等离子体处理装置 [P]. 
王洪青 ;
左涛涛 .
中国专利 :CN121148978A ,2025-12-16
[2]
下电极组件及等离子体处理装置 [P]. 
郭二飞 ;
左涛涛 .
中国专利 :CN222734926U ,2025-04-08
[3]
等离子体处理装置和下电极组件 [P]. 
倪图强 ;
郭盛 ;
孙祥 ;
范光伟 ;
杨宽 ;
王洪青 ;
陈星建 ;
杜若昕 .
中国专利 :CN214477329U ,2021-10-22
[4]
下电极组件和等离子体处理装置 [P]. 
吴磊 ;
叶如彬 .
中国专利 :CN214672493U ,2021-11-09
[5]
下电极组件和等离子体处理装置 [P]. 
吴磊 ;
叶如彬 .
中国专利 :CN114914142A ,2022-08-16
[6]
下电极组件和等离子体处理装置 [P]. 
裴江涛 ;
连增迪 ;
左涛涛 ;
吴狄 .
中国专利 :CN213150716U ,2021-05-07
[7]
下电极组件和等离子体处理装置 [P]. 
吴磊 ;
叶如彬 .
中国专利 :CN114914142B ,2025-02-14
[8]
上电极组件及其等离子体处理装置 [P]. 
杨金全 ;
黄允文 .
中国专利 :CN213340284U ,2021-06-01
[9]
等离子体处理装置及其下电极组件 [P]. 
郭二飞 ;
杨宽 ;
范光伟 .
中国专利 :CN120954955A ,2025-11-14
[10]
下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法 [P]. 
雷仲礼 .
中国专利 :CN113130279A ,2021-07-16