一种硅基探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710375429.2

申请日：

2017-05-24

公开(公告)号：

CN107154447B

公开(公告)日：

2024-01-30

发明(设计)人：

尹顺政赵润安文

申请人：

中国电子科技集团公司第十三研究所

申请人地址：

050051 河北省石家庄市合作路113号

IPC主分类号：

H01L31/101

IPC分类号：

H01L31/0232 H01L31/18

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

米文智

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种硅基探测器及其制备方法 [P].

尹顺政 ;

赵润 ;

安文 .

中国专利 :CN107154447A ,2017-09-12

[2]

一种硅基探测器 [P].

尹顺政 ;

赵润 ;

安文 .

中国专利 :CN206742258U ,2017-12-12

[3]

一种硅基探测器及其制备方法 [P].

李志华 ;

成文政 ;

刘曼文 .

中国专利 :CN117913154A ,2024-04-19

[4]

硅基光电探测器及其制备方法 [P].

杨荣 ;

王庆 ;

余明斌 .

中国专利 :CN117476800A ,2024-01-30

[5]

硅基光电探测器及其制备方法 [P].

杨荣 ;

王庆 ;

余明斌 .

中国专利 :CN117476800B ,2024-04-09

[6]

硅基探测器及其制作方法 [P].

许高博 ;

翟琼华 ;

丁明正 ;

傅剑宇 ;

孙朋 ;

殷华湘 ;

颜刚平 ;

田国良 .

中国专利 :CN113299785B ,2021-08-24

[7]

硅基探测器及其制作方法 [P].

孙朋 ;

傅剑宇 ;

许高博 ;

丁明正 ;

殷华湘 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN114927589A ,2022-08-19

[8]

InAlAs雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

韩孟序 ;

尹顺政 ;

齐利芳 .

中国专利 :CN112289888A ,2021-01-29

[9]

一种宽度渐变的硅基探测器及其制备方法 [P].

刘智 ;

成步文 ;

郑军 ;

薛春来 .

中国专利 :CN113488557B ,2021-10-08

[10]

超薄硅基粒子探测器及其制备方法 [P].

李科佳 ;

王金延 ;

田大宇 ;

张录 ;

张太平 ;

金玉丰 .

中国专利 :CN101286536A ,2008-10-15

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