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一种耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311358221.1
申请日：
2023-10-19
公开(公告)号：
CN117430427A
公开(公告)日：
2024-01-23
发明(设计)人：
李达鑫 林海龙 齐鹏 高晨光 林坤鹏 张祎 杨治华 贾德昌 周玉
申请人：
哈尔滨工业大学
申请人地址：
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
IPC主分类号：
C04B35/584
IPC分类号：
C04B35/5835 C04B35/622 C04B35/64
代理机构：
哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司 23213
代理人：
侯静
法律状态：
授权
国省代码：
山东省 威海市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-17 授权 授权
2024-02-09 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/584申请日:20231019
2024-01-23 公开 公开
共 50 条
[1]
一种耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备方法 [P]. 
李达鑫 ;
林海龙 ;
齐鹏 ;
高晨光 ;
林坤鹏 ;
张祎 ;
杨治华 ;
贾德昌 ;
周玉 .
中国专利 :CN117430427B ,2025-10-17
[2]
一种低介电损耗介质陶瓷及其制备方法 [P]. 
龙克文 ;
胡锦文 .
中国专利 :CN111170733A ,2020-05-19
[3]
一种低介电损耗巨介电陶瓷及其制备方法 [P]. 
姚忠樱 ;
常逸文 ;
任佳乐 ;
任瑞康 ;
张洪波 ;
旷峰华 ;
郭天丽 ;
崔鸽 ;
罗桂敏 ;
李昱蓓 .
中国专利 :CN119462128A ,2025-02-18
[4]
一种低介电损耗巨介电陶瓷及其制备方法 [P]. 
姚忠樱 ;
常逸文 ;
任佳乐 ;
任瑞康 ;
张洪波 ;
旷峰华 ;
郭天丽 ;
崔鸽 ;
罗桂敏 ;
李昱蓓 .
中国专利 :CN119462128B ,2025-12-05
[5]
一种耐高温的低介电损耗PVC材料及其制备方法 [P]. 
王毅 ;
王波 ;
吴红平 ;
李诗光 ;
丁胜 .
中国专利 :CN111777828B ,2020-10-16
[6]
一种高介电常数低介电损耗铁电陶瓷的制备方法 [P]. 
方必军 .
中国专利 :CN101723677B ,2010-06-09
[7]
一种低介电损耗铁铌酸钡陶瓷的制备方法 [P]. 
杨海波 ;
林营 ;
朱建锋 ;
王芬 .
中国专利 :CN102249676A ,2011-11-23
[8]
一种低介电损耗的无铅玻璃陶瓷及其制备方法 [P]. 
罗君 ;
杜军 ;
张庆猛 ;
唐群 .
中国专利 :CN104671665B ,2015-06-03
[9]
一种巨介电常数、低介电损耗陶瓷及其制备方法 [P]. 
成鹏飞 ;
王丹 .
中国专利 :CN114436643A ,2022-05-06
[10]
一种液态复相SiBCN陶瓷前驱体及SiBCN陶瓷的制备方法 [P]. 
邱海鹏 ;
陈义 ;
马新 ;
陈明伟 ;
梁艳媛 .
中国专利 :CN115651414A ,2023-01-31
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