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一种低介电损耗巨介电陶瓷及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411486290.5
申请日：
2024-10-23
公开(公告)号：
CN119462128B
公开(公告)日：
2025-12-05
发明(设计)人：
姚忠樱 常逸文 任佳乐 任瑞康 张洪波 旷峰华 郭天丽 崔鸽 罗桂敏 李昱蓓
申请人：
中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请人地址：
100024 北京市朝阳区管庄东里1号
IPC主分类号：
C04B35/468
IPC分类号：
C04B35/472 C04B35/47 C04B35/622
代理机构：
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348
代理人：
孟阿妮;刘铁生
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
北京市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-07 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/468申请日:20241023
2025-12-05 授权 授权
2025-02-18 公开 公开
共 50 条
[1]
一种低介电损耗巨介电陶瓷及其制备方法 [P]. 
姚忠樱 ;
常逸文 ;
任佳乐 ;
任瑞康 ;
张洪波 ;
旷峰华 ;
郭天丽 ;
崔鸽 ;
罗桂敏 ;
李昱蓓 .
中国专利 :CN119462128A ,2025-02-18
[2]
介电陶瓷及其制造方法 [P]. 
陈昂 ;
智宇 ;
智靖 ;
韩家平 ;
诸葛向彬 ;
P·M·Vilarinho ;
J·L·Baptista .
中国专利 :CN1149567A ,1997-05-14
[3]
一种低介电损耗的钛酸铜钐锂钠巨介电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
刘展晴 .
中国专利 :CN108751977A ,2018-11-06
[4]
一种巨介电常数、低介电损耗陶瓷及其制备方法 [P]. 
成鹏飞 ;
王丹 .
中国专利 :CN114436643A ,2022-05-06
[5]
一种超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料及其制备方法 [P]. 
王卓 ;
陈浩楠 ;
念雯雯 ;
范家豪 ;
王枭颖 ;
李银博 .
中国专利 :CN108727013B ,2018-11-02
[6]
一种低介电损耗温度稳定型微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
陈国华 ;
侯美珍 ;
包燕 .
中国专利 :CN102674828A ,2012-09-19
[7]
一种低介电损耗CaCu3Ti4O12陶瓷的制备方法 [P]. 
熊兆贤 ;
李洁 ;
薛昊 .
中国专利 :CN100494117C ,2007-11-14
[8]
一种巨介电常数、低介电损耗钛酸锶陶瓷的制备方法 [P]. 
刘旭东 ;
卢佳慧 ;
王磊 ;
孙旭东 ;
王兴安 ;
那兆霖 ;
惠宇 .
中国专利 :CN114988868A ,2022-09-02
[9]
一种介电陶瓷的制备方法及其产品 [P]. 
李金凤 .
中国专利 :CN114685163A ,2022-07-01
[10]
一种低介电损耗介质陶瓷及其制备方法 [P]. 
龙克文 ;
胡锦文 .
中国专利 :CN111170733A ,2020-05-19
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