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一种低介电损耗介质陶瓷及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010039627.3
申请日：
2020-01-15
公开(公告)号：
CN111170733A
公开(公告)日：
2020-05-19
发明(设计)人：
龙克文 胡锦文
申请人：
申请人地址：
528200 广东省佛山市南海区桂城街道南三路11号广东珠江开关有限公司内之4号楼102B
IPC主分类号：
C04B35462
IPC分类号：
C04B35622 C04B3564
代理机构：
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350
代理人：
肖平安
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-06-12 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/462 申请日:20200115
2020-05-19 公开 公开
共 50 条
[1]
一种低介电损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
覃杏柳 ;
苏聪学 ;
郑彬宁 ;
方亮 ;
刘来君 .
中国专利 :CN107721403A ,2018-02-23
[2]
一种低温低介电损耗微波介电陶瓷CoTeMoO<sub>6</sub>及其制备方法 [P]. 
陈元斌 ;
熊思意 .
中国专利 :CN119263827A ,2025-01-07
[3]
一种低温低介电损耗微波介电陶瓷CoTeMoO<sub>6</sub>及其制备方法 [P]. 
陈元斌 ;
熊思意 .
中国专利 :CN119263827B ,2025-06-10
[4]
一种低介电损耗压电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
李玉臣 ;
姚烈 ;
董显林 .
中国专利 :CN1781874A ,2006-06-07
[5]
一种低介电损耗温度稳定型微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
陈国华 ;
侯美珍 ;
包燕 .
中国专利 :CN102674828A ,2012-09-19
[6]
一种巨介电常数、低介电损耗陶瓷及其制备方法 [P]. 
成鹏飞 ;
王丹 .
中国专利 :CN114436643A ,2022-05-06
[7]
一种低介电损耗巨介电陶瓷及其制备方法 [P]. 
姚忠樱 ;
常逸文 ;
任佳乐 ;
任瑞康 ;
张洪波 ;
旷峰华 ;
郭天丽 ;
崔鸽 ;
罗桂敏 ;
李昱蓓 .
中国专利 :CN119462128A ,2025-02-18
[8]
一种低介电损耗巨介电陶瓷及其制备方法 [P]. 
姚忠樱 ;
常逸文 ;
任佳乐 ;
任瑞康 ;
张洪波 ;
旷峰华 ;
郭天丽 ;
崔鸽 ;
罗桂敏 ;
李昱蓓 .
中国专利 :CN119462128B ,2025-12-05
[9]
超低介电损耗微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
苏聪学 ;
覃杏柳 ;
张志伟 ;
苏启武 .
中国专利 :CN108002834B ,2018-05-08
[10]
温度稳定型低介电损耗的微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
李玲霞 ;
李钰婷 ;
乔坚栗 .
中国专利 :CN113880573A ,2022-01-04
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