一种低温低介电损耗微波介电陶瓷CoTeMoO<sub>6</sub>及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411525845.2

申请日：

2024-10-30

公开(公告)号：

CN119263827B

公开(公告)日：

2025-06-10

发明(设计)人：

陈元斌熊思意

申请人：

肇庆学院

申请人地址：

526060 广东省肇庆市端州区肇庆大道55号

IPC主分类号：

C04B35/495

IPC分类号：

C04B35/622

代理机构：

广东广盛知识产权代理事务所(普通合伙) 441214

代理人：

卓邦荣

法律状态：

授权

国省代码：

广东省肇庆市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-10	授权	授权
2025-01-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/495申请日:20241030
2025-01-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种低温低介电损耗微波介电陶瓷CoTeMoO<sub>6</sub>及其制备方法 [P].

陈元斌 ;

熊思意 .

中国专利 :CN119263827A ,2025-01-07

[2]

超低介电损耗微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

张志伟 ;

苏启武 .

中国专利 :CN108002834B ,2018-05-08

[3]

一种低介电损耗温度稳定型微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

陈国华 ;

侯美珍 ;

包燕 .

中国专利 :CN102674828A ,2012-09-19

[4]

镁、钨离子取代的ZnTiNb<sub>2</sub>O<sub>8</sub>微波介电陶瓷材料及制备方法 [P].

石梁 ;

吴俊杰 .

中国专利 :CN120887721A ,2025-11-04

[5]

可低温烧结微波介电陶瓷LiWVO6及其制备方法 [P].

方亮 ;

邓婧 ;

唐莹 .

中国专利 :CN103159476A ,2013-06-19

[6]

一种低介电损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

覃杏柳 ;

苏聪学 ;

郑彬宁 ;

方亮 ;

刘来君 .

中国专利 :CN107721403A ,2018-02-23

[7]

一种ABO<sub>3</sub>型低介电损耗陶瓷及其制备方法 [P].

孟彬 ;

张涵 ;

房聪聪 ;

林武 ;

魏子程 .

中国专利 :CN116924796B ,2024-05-14

[8]

低温共烧陶瓷微波介电陶瓷 [P].

冯奎智 ;

曹中亚 ;

赖育贤 ;

林建基 .

中国专利 :CN106699178A ,2017-05-24

[9]

一种低介电损耗介质陶瓷及其制备方法 [P].

龙克文 ;

胡锦文 .

中国专利 :CN111170733A ,2020-05-19

[10]

一种低温烧结的高热稳定微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

方亮 ;

胡长征 ;

李纯纯 ;

彭西洋 ;

刘来君 .

中国专利 :CN101531511A ,2009-09-16

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