一种低介电损耗温度稳定型微波介电陶瓷材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210150687.8

申请日：

2012-05-16

公开(公告)号：

CN102674828A

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

陈国华侯美珍包燕

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号

IPC主分类号：

C04B35462

IPC分类号：

C04B35495 C04B35622

代理机构：

桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112

代理人：

巢雄辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-19	公开	公开
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346529425 IPC(主分类):C04B 35/462 专利申请号:2012101506878 申请日:20120516
2014-12-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101708221706 IPC(主分类):H01B 3/12 专利申请号:2012101506878 申请公布日:20120919

共 50 条

[1]

超低介电损耗微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

张志伟 ;

苏启武 .

中国专利 :CN108002834B ,2018-05-08

[2]

温度稳定型低介电损耗的微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

李钰婷 ;

乔坚栗 .

中国专利 :CN113880573A ,2022-01-04

[3]

一种低介电损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

覃杏柳 ;

苏聪学 ;

郑彬宁 ;

方亮 ;

刘来君 .

中国专利 :CN107721403A ,2018-02-23

[4]

一种温度稳定型超低损耗微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

邓婧 .

中国专利 :CN104446473A ,2015-03-25

[5]

一种中介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

陈国华 ;

康晓玲 ;

狄洁昌 ;

徐华蕊 ;

张小文 ;

杨云 .

中国专利 :CN102358698A ,2012-02-22

[6]

中介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

郑彬宁 ;

张志伟 ;

覃杏柳 .

中国专利 :CN108002836A ,2018-05-08

[7]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiInSnO4 [P].

段炼 ;

方维双 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106145929A ,2016-11-23

[8]

一种低损耗温度稳定型钼酸盐微波介电陶瓷 [P].

方亮 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN107129302A ,2017-09-05

[9]

一种低介电损耗微波电子陶瓷材料 [P].

王永生 ;

胥阳春 ;

刘珍 ;

侯冬梅 .

中国专利 :CN105036732A ,2015-11-11

[10]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

方清 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN104311023B ,2015-01-28

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