一种温度稳定型超低损耗微波介电陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410825337.6

申请日：

2014-12-27

公开(公告)号：

CN104446473A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

方维双李纯纯邓婧

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35495

IPC分类号：

C04B3501 C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C04B 35/495 登记生效日:20201217 变更事项:专利权人变更前权利人:桂林理工大学变更后权利人:东台果蔬椒乡农业科技发展有限公司变更事项:地址变更前权利人:541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号变更后权利人:224200 江苏省盐城市东台市南沈灶镇兆丰居委会五组10号
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607349852 IPC(主分类):C04B 35/495 专利申请号:2014108253376 申请日:20141227
2016-08-17	授权	授权
2015-03-25	公开	公开

共 50 条

[1]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiInSnO4 [P].

段炼 ;

方维双 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106145929A ,2016-11-23

[2]

一种低损耗温度稳定型钼酸盐微波介电陶瓷 [P].

方亮 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN107129302A ,2017-09-05

[3]

超低损耗微波介电陶瓷LiTa2BO7及其制备方法 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104557036A ,2015-04-29

[4]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

方清 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN104311023B ,2015-01-28

[5]

一种低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiFeSiO4 [P].

叶存军 ;

段炼 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN106187132A ,2016-12-07

[6]

低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZnV5O14 [P].

方亮 ;

孙宜华 ;

李东升 ;

孙小华 .

中国专利 :CN104744039A ,2015-07-01

[7]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiBSi3O8 [P].

唐莹 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106187129A ,2016-12-07

[8]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiFeSi3O8 [P].

苏和平 ;

唐莹 ;

段炼 .

中国专利 :CN106278214A ,2017-01-04

[9]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiGaSn3O8 [P].

徐敏育 ;

唐莹 ;

段炼 .

中国专利 :CN106187160A ,2016-12-07

[10]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiFeSn3O8 [P].

苏和平 ;

唐莹 ;

段炼 .

中国专利 :CN106278242A ,2017-01-04

← 1 2 3 4 5 →