超低损耗微波介电陶瓷LiTa2BO7及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410825303.7

申请日：

2014-12-27

公开(公告)号：

CN104557036A

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

方维双李纯纯苏和平

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35495

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611410055 IPC(主分类):C04B 35/495 专利申请号:2014108253037 申请日:20141227
2015-04-29	公开	公开
2017-10-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/495 申请公布日:20150429

共 50 条

[1]

一种温度稳定型超低损耗微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

邓婧 .

中国专利 :CN104446473A ,2015-03-25

[2]

超低损耗微波介电陶瓷Li3V2B3O11及其制备方法 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104446469A ,2015-03-25

[3]

一种低温烧结超低损耗微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104446472A ,2015-03-25

[4]

超低介电常数微波介电陶瓷InLaZn4O7及其制备方法 [P].

蒋雪雯 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104387053A ,2015-03-04

[5]

超低介电常数微波介电陶瓷InAlMg7O10及其制备方法 [P].

方维双 ;

唐莹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104446381A ,2015-03-25

[6]

超低介电常数微波介电陶瓷Li2Zn2Si2O7及其制备方法 [P].

李洁 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104478423A ,2015-04-01

[7]

超低介电常数微波介电陶瓷Li4SiWO7及其制备方法 [P].

蒋雪雯 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104311027A ,2015-01-28

[8]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiInSnO4 [P].

段炼 ;

方维双 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106145929A ,2016-11-23

[9]

低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷GdY2V3O12 [P].

李纯纯 ;

方维双 ;

唐莹 .

中国专利 :CN105060889A ,2015-11-18

[10]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷Li2SrGe2O6 [P].

徐敏育 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106278189A ,2017-01-04

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