超低损耗微波介电陶瓷Li3V2B3O11及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410704178.4

申请日：

2014-11-30

公开(公告)号：

CN104446469A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

方维双李纯纯苏和平

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35495

IPC分类号：

C04B3558 C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-25	公开	公开
2018-09-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C04B 35/495 登记生效日:20180827 变更事项:专利权人变更前权利人:桂林理工大学变更后权利人:广西新未来信息产业股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号变更后权利人:536000 广西壮族自治区北海市海城区广西北海工业园区新未来科技园
2016-08-24	授权	授权
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607349449 IPC(主分类):C04B 35/495 专利申请号:2014107041784 申请日:20141130

共 50 条

[1]

超低损耗微波介电陶瓷LiTa2BO7及其制备方法 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104557036A ,2015-04-29

[2]

一种温度稳定型超低损耗微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

邓婧 .

中国专利 :CN104446473A ,2015-03-25

[3]

超低介电常数微波介电陶瓷Li2Zn3Si2O8及其制备方法 [P].

唐莹 ;

李洁 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104478424A ,2015-04-01

[4]

超低介电常数微波介电陶瓷Li3Si2B3O10及其制备方法 [P].

蒋雪雯 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104478408B ,2015-04-01

[5]

低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷GdY2V3O12 [P].

李纯纯 ;

方维双 ;

唐莹 .

中国专利 :CN105060889A ,2015-11-18

[6]

超低介电常数微波介电陶瓷Li2Bi3V7O23及其制备方法 [P].

李洁 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104311022B ,2015-01-28

[7]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷Li2Bi4Sn3O13 [P].

校凯 ;

段炼 ;

陈爽 .

中国专利 :CN106242555A ,2016-12-21

[8]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷Li2Bi4Si3O13 [P].

唐莹 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106242554A ,2016-12-21

[9]

低损耗低介电常数微波介电陶瓷Ca3Bi2Ge3O12及其制备方法 [P].

李纯纯 ;

邓酩 ;

卢锋奇 .

中国专利 :CN105523756A ,2016-04-27

[10]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Mg3Li2B2O7及其制备方法 [P].

段炼 ;

方亮 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106116522A ,2016-11-16

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