半导体器件用高反射膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410295536.4

申请日：

2024-03-15

公开(公告)号：

CN118173621A

公开(公告)日：

2024-06-11

发明(设计)人：

肖志宏

申请人：

肖志宏

申请人地址：

215000 江苏省苏州市相城区香城花园29栋402室

IPC主分类号：

H01L31/0216

IPC分类号：

C23C18/12 C23C14/18 C23C14/28 B05D1/02 H01L31/18

代理机构：

上海领匠知识产权代理有限公司 31404

代理人：

王裕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/0216申请日:20240315
2024-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制备方法 [P].

董旭 ;

熊敏 ;

朱杰 .

中国专利 :CN115733050B ,2025-07-01

[2]

半导体器件及其制备方法 [P].

肖杰 ;

阮逸轩 ;

徐文杰 ;

吴家伟 ;

赵敖丽 .

中国专利 :CN118692903A ,2024-09-24

[3]

高电压半导体器件及其制备方法 [P].

马丁·克奈普 .

中国专利 :CN105765730A ,2016-07-13

[4]

半导体器件的制备方法及其半导体器件 [P].

连建伟 ;

王子辰 ;

陈耀冲 ;

刘铜铜 .

中国专利 :CN118919551A ,2024-11-08

[5]

半导体器件的制备方法及其半导体器件 [P].

黎建刚 ;

林志东 ;

李贤虎 ;

曹静怡 ;

颜球辉 ;

姚雄奎 .

中国专利 :CN118737819A ,2024-10-01

[6]

半导体膜,半导体器件,和制造方法 [P].

宫入秀和 ;

志贺爱之 ;

野村克己 ;

牧田直树 ;

松尾拓哉 .

中国专利 :CN1412859A ,2003-04-23

[7]

半导体器件及其铝膜的制备方法 [P].

归剑 ;

王海红 .

中国专利 :CN113549875A ,2021-10-26

[8]

粘合膜、半导体器件的制备方法和半导体器件 [P].

金丁鹤 ;

金熹正 ;

金塞拉 ;

李光珠 ;

金荣国 ;

南承希 .

中国专利 :CN107534020A ,2018-01-02

[9]

半导体器件、切割半导体器件的切割设备及其切割方法 [P].

大川诚 .

中国专利 :CN1604280A ,2005-04-06

[10]

半导体衬底及其制备方法、半导体器件及其制备方法 [P].

王国斌 ;

闫其昂 ;

刘宗亮 .

中国专利 :CN114141919A ,2022-03-04

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