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一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202322276659.7
申请日
:
2023-08-23
公开(公告)号
:
CN220643339U
公开(公告)日
:
2024-03-22
发明(设计)人
:
刘洋
张利
王皖南
申请人
:
福州镓谷半导体有限公司
申请人地址
:
350000 福建省福州市长乐区文武砂街道黄沙礁路220号新投科技研发中心(二区)B-4#楼
IPC主分类号
:
C30B25/12
IPC分类号
:
C30B29/40
C23C16/458
H01L21/673
代理机构
:
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260
代理人
:
苗雨
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-22
授权
授权
共 50 条
[1]
一种MOCVD设备外延生长石墨盘
[P].
李从敏
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
徐州仟目科技集团有限公司
徐州仟目科技集团有限公司
李从敏
;
李星
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0
机构:
徐州仟目科技集团有限公司
徐州仟目科技集团有限公司
李星
;
王亚星
论文数:
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0
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0
机构:
徐州仟目科技集团有限公司
徐州仟目科技集团有限公司
王亚星
.
中国专利
:CN222834435U
,2025-05-06
[2]
一种氮化镓外延片生长基盘
[P].
胡晓海
论文数:
0
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0
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0
机构:
苏州中科重仪半导体材料有限公司
苏州中科重仪半导体材料有限公司
胡晓海
.
中国专利
:CN220318037U
,2024-01-09
[3]
一种氮化镓功率器件
[P].
李会杰
论文数:
0
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0
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李会杰
;
田志怀
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田志怀
;
路立峰
论文数:
0
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0
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路立峰
;
唐兰香
论文数:
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唐兰香
;
高建海
论文数:
0
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0
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高建海
;
孟立智
论文数:
0
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0
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0
孟立智
.
中国专利
:CN210073810U
,2020-02-14
[4]
一种氮化镓功率器件
[P].
谢自力
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机构:
南京集芯光电技术研究院有限公司
南京集芯光电技术研究院有限公司
谢自力
.
中国专利
:CN222655520U
,2025-03-21
[5]
一种氮化镓功率器件
[P].
郭超凡
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机构:
珠海镓未来科技有限公司
珠海镓未来科技有限公司
郭超凡
;
张铭宏
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机构:
珠海镓未来科技有限公司
珠海镓未来科技有限公司
张铭宏
;
王中党
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机构:
珠海镓未来科技有限公司
珠海镓未来科技有限公司
王中党
.
中国专利
:CN223415189U
,2025-10-03
[6]
一种氮化镓功率器件
[P].
魏瑞翔
论文数:
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机构:
安徽奇派恪科技有限公司
安徽奇派恪科技有限公司
魏瑞翔
;
韦志华
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机构:
安徽奇派恪科技有限公司
安徽奇派恪科技有限公司
韦志华
.
中国专利
:CN223539588U
,2025-11-11
[7]
一种氮化镓功率器件
[P].
陈道坤
论文数:
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陈道坤
;
史波
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史波
;
曾丹
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曾丹
;
敖利波
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敖利波
.
中国专利
:CN210640256U
,2020-05-29
[8]
一种氮化镓功率器件
[P].
傅玥
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0
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傅玥
;
周叶凡
论文数:
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周叶凡
;
孔令涛
论文数:
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0
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孔令涛
.
中国专利
:CN217903119U
,2022-11-25
[9]
一种氮化镓功率器件
[P].
伍震威
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机构:
安建科技有限公司
安建科技有限公司
伍震威
;
单建安
论文数:
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机构:
安建科技有限公司
安建科技有限公司
单建安
.
中国专利
:CN222532101U
,2025-02-25
[10]
一种氮化镓外延片生长用基座
[P].
谢自力
论文数:
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机构:
南京集芯光电技术研究院有限公司
南京集芯光电技术研究院有限公司
谢自力
.
中国专利
:CN222119471U
,2024-12-06
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