一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202322276659.7
申请日
2023-08-23
公开(公告)号
CN220643339U
公开(公告)日
2024-03-22
发明(设计)人
刘洋 张利 王皖南
申请人
福州镓谷半导体有限公司
申请人地址
350000 福建省福州市长乐区文武砂街道黄沙礁路220号新投科技研发中心(二区)B-4#楼
IPC主分类号
C30B25/12
IPC分类号
C30B29/40 C23C16/458 H01L21/673
代理机构
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260
代理人
苗雨
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种MOCVD设备外延生长石墨盘 [P]. 
李从敏 ;
李星 ;
王亚星 .
中国专利 :CN222834435U ,2025-05-06
[2]
一种氮化镓外延片生长基盘 [P]. 
胡晓海 .
中国专利 :CN220318037U ,2024-01-09
[3]
一种氮化镓功率器件 [P]. 
李会杰 ;
田志怀 ;
路立峰 ;
唐兰香 ;
高建海 ;
孟立智 .
中国专利 :CN210073810U ,2020-02-14
[4]
一种氮化镓功率器件 [P]. 
谢自力 .
中国专利 :CN222655520U ,2025-03-21
[5]
一种氮化镓功率器件 [P]. 
郭超凡 ;
张铭宏 ;
王中党 .
中国专利 :CN223415189U ,2025-10-03
[6]
一种氮化镓功率器件 [P]. 
魏瑞翔 ;
韦志华 .
中国专利 :CN223539588U ,2025-11-11
[7]
一种氮化镓功率器件 [P]. 
陈道坤 ;
史波 ;
曾丹 ;
敖利波 .
中国专利 :CN210640256U ,2020-05-29
[8]
一种氮化镓功率器件 [P]. 
傅玥 ;
周叶凡 ;
孔令涛 .
中国专利 :CN217903119U ,2022-11-25
[9]
一种氮化镓功率器件 [P]. 
伍震威 ;
单建安 .
中国专利 :CN222532101U ,2025-02-25
[10]
一种氮化镓外延片生长用基座 [P]. 
谢自力 .
中国专利 :CN222119471U ,2024-12-06