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SOIウェーハの製造方法およびこの方法により製造されたSOIウェーハ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20070512915
申请日
:
2006-04-04
公开(公告)号
:
JPWO2006109614A1
公开(公告)日
:
2008-11-06
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/02
IPC分类号
:
H01L21/304
H01L27/12
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 32 条
[1]
SOIウェーハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2003046993A1
,2005-04-14
[2]
SOIウェーハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011027545A1
,2013-01-31
[3]
半導体ウェーハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6525046B1
,2019-06-05
[4]
貼り合わせウェーハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005022610A1
,2007-11-01
[5]
貼り合わせウエーハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2003009386A1
,2004-11-11
[6]
薄膜形成方法、これにより製造された半導体基板及び半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP2025511308A
,2025-04-15
[7]
薄膜遮蔽剤、これを用いた薄膜形成方法、これにより製造された半導体基板及び半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP2025511355A
,2025-04-15
[8]
活性化剤、これを用いた薄膜形成方法、これにより製造された半導体基板及び半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP2025513777A
,2025-04-30
[9]
樹脂組成物、樹脂膜の製造方法および電子デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019049517A1
,2020-08-20
[10]
基板処理装置および半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004079804A1
,2006-06-08
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