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ＳＯＩウェーハの製造方法およびこの方法により製造されたＳＯＩウェーハ[ja]

被引：0
申请号：
JP20070512915
申请日：
2006-04-04
公开(公告)号：
JPWO2006109614A1
公开(公告)日：
2008-11-06
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
H01L21/304 H01L27/12
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 32 条
[21]
基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018154823A1 ,2019-11-07
[22]
半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018179352A1 ,2019-11-07
[23]
感光性樹脂組成物および感光性樹脂膜の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011030744A1 ,2013-02-07
[24]
多層プリント配線板の製造方法及びその製造方法で得られた多層プリント配線板[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006016586A1 ,2008-05-01
[25]
基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム[ja] [P]. 
HARADA KATSUYOSHI ;
MATSUOKA TATSURU ;
HASHIMOTO YOSHITOMO .
日本专利 :JP2022037028A ,2022-03-08
[26]
薄膜前駆体化合物、これを用いた薄膜形成方法、これから製造された半導体基板[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025518867A ,2025-06-19
[27]
金属酸化物膜形成性組成物、及びこれを用いた金属酸化物膜の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022131493A ,2022-09-07
[28]
樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法、及び半導体装置[ja] [P]. 
ANZAI NOBUHIRO .
日本专利 :JP2022043096A ,2022-03-15
[29]
遮へい化合物、これを用いた薄膜形成方法、これから製造された半導体基板及び半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025529344A ,2025-09-04
[30]
ガス供給ノズル、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022179556A ,2022-12-02
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