半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja]

被引:0
申请号
JP20200552181
申请日
2019-10-17
公开(公告)号
JPWO2020084406A1
公开(公告)日
2021-10-28
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/336
IPC分类号
H10B99/00 H01L29/786 H10B12/00 H10B41/70
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[11]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019003047A1 ,2020-07-30
[12]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020084415A1 ,2021-10-28
[13]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019048968A1 ,2020-11-12
[14]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019175708A1 ,2021-03-25
[15]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020074999A1 ,2021-10-14
[16]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019130162A1 ,2021-01-14
[17]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019025893A1 ,2020-07-16
[18]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019048987A1 ,2020-10-15
[19]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019048984A1 ,2020-11-05
[20]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018178806A1 ,2020-01-30