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酸化物薄膜の形成方法および装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20150553507
申请日
:
2014-12-11
公开(公告)号
:
JPWO2015093389A1
公开(公告)日
:
2017-03-16
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/316
IPC分类号
:
C23C16/40
H01L21/31
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物薄膜の形成方法および装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6484892B2
,2019-03-20
[2]
酸化物薄膜形成方法及び酸化物薄膜形成装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6813824B2
,2021-01-13
[3]
酸化物薄膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6005288B2
,2016-10-12
[4]
酸化物薄膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015011855A1
,2017-03-02
[5]
金属酸化物薄膜形成装置及び金属酸化物薄膜形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6924515B2
,2021-08-25
[6]
金属酸化物薄膜形成装置及び金属酸化物薄膜形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019098289A1
,2020-11-19
[7]
CVD装置およびその薄膜形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007074545A1
,2009-06-04
[8]
金属酸化物薄膜の製造方法および装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7556540B2
,2024-09-26
[9]
金属酸化物の形成方法[ja]
[P].
YAMAZAKI SHUNPEI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
YAMAZAKI SHUNPEI
;
NAKAYAMA TOMONORI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
NAKAYAMA TOMONORI
.
日本专利
:JP2025075041A
,2025-05-14
[10]
鉄酸化物薄膜およびその製造方法[ja]
[P].
ABE YOTSUGI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
RES INSTITUTE FOR ELECTROMAGNETIC MATERIALS
RES INSTITUTE FOR ELECTROMAGNETIC MATERIALS
ABE YOTSUGI
.
日本专利
:JP2025036403A
,2025-03-14
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