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プラズマ処理および/または熱処理を使用して、酸化ハフニウムに基づく強誘電体材料の性能を向上させるための方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200509491
申请日
:
2018-08-08
公开(公告)号
:
JP2020532113A
公开(公告)日
:
2020-11-05
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/316
IPC分类号
:
C23C16/455
H01L21/31
H01L27/11585
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
プラズマ処理および/または熱処理を使用して、酸化ハフニウムに基づく強誘電体材料の性能を向上させるための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7194171B2
,2022-12-21
[2]
強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物[ja]
[P].
日本专利
:JP2020511797A
,2020-04-16
[3]
強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物[ja]
[P].
日本专利
:JP2020511796A
,2020-04-16
[4]
強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物[ja]
[P].
日本专利
:JP7230126B2
,2023-02-28
[5]
強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物[ja]
[P].
日本专利
:JP7202423B2
,2023-01-11
[6]
強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物[ja]
[P].
日本专利
:JP6920457B2
,2021-08-18
[7]
強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物[ja]
[P].
日本专利
:JP6916297B2
,2021-08-11
[8]
アンモニアを処理するためのシステムおよび方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024521417A
,2024-05-31
[9]
誘電体材料における陥凹構造のスミア除去のための処理方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2016539492A
,2016-12-15
[10]
誘電体材料における陥凹構造のスミア除去のための処理方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6505087B2
,2019-04-24
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