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強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190550797
申请日
:
2018-03-14
公开(公告)号
:
JP2020511797A
公开(公告)日
:
2020-04-16
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/316
IPC分类号
:
C23C16/40
C23C16/42
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物[ja]
[P].
日本专利
:JP2020511796A
,2020-04-16
[2]
強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物[ja]
[P].
日本专利
:JP7230126B2
,2023-02-28
[3]
強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物[ja]
[P].
日本专利
:JP7202423B2
,2023-01-11
[4]
強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物[ja]
[P].
日本专利
:JP6920457B2
,2021-08-18
[5]
強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物[ja]
[P].
日本专利
:JP6916297B2
,2021-08-11
[6]
ケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための配合物[ja]
[P].
日本专利
:JP2022548037A
,2022-11-16
[7]
3Dドラムのための選択的ケイ素化合物堆積[ja]
[P].
日本专利
:JP2024530167A
,2024-08-16
[8]
誘電体材料蒸発のためのプラズマ強化堆積設備、堆積装置及びその操作方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2016507645A
,2016-03-10
[9]
誘電体材料蒸発のためのプラズマ強化堆積設備、堆積装置及びその操作方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6456841B2
,2019-01-23
[10]
SnTiO3材料、その調製方法、強誘電体材料としてのその使用及び強誘電体材料を含むデバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP7408636B2
,2024-01-05
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