シリコンウェーハの極低酸素濃度測定方法[ja]

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申请号
JP20180235613
申请日
2018-12-17
公开(公告)号
JP6979007B2
公开(公告)日
2021-12-08
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
G01N21/3563
IPC分类号
H01L21/66
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
シリコンウェーハのニッケル濃度測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5614390B2 ,2014-10-29
[2]
p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6458874B2 ,2019-01-30
[3]
p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017061072A1 ,2018-02-22
[4]
シリコン試料中の酸素濃度測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7310727B2 ,2023-07-19
[5]
[6]
シリコンウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6878188B2 ,2021-05-26
[7]
シリコンウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7487655B2 ,2024-05-21
[9]
シリコン結晶の窒素濃度測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6638888B2 ,2020-01-29