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シリコンウェーハの極低酸素濃度測定方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20180235613
申请日
:
2018-12-17
公开(公告)号
:
JP6979007B2
公开(公告)日
:
2021-12-08
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G01N21/3563
IPC分类号
:
H01L21/66
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
シリコンウェーハのニッケル濃度測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5614390B2
,2014-10-29
[2]
p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6458874B2
,2019-01-30
[3]
p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017061072A1
,2018-02-22
[4]
シリコン試料中の酸素濃度測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7310727B2
,2023-07-19
[5]
シリコン単結晶ウエーハの窒素濃度の測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7115456B2
,2022-08-09
[6]
シリコンウェーハの抵抗率測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6878188B2
,2021-05-26
[7]
シリコンウェーハの抵抗率測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7487655B2
,2024-05-21
[8]
単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7230746B2
,2023-03-01
[9]
シリコン結晶の窒素濃度測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6638888B2
,2020-01-29
[10]
p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法及びSPV測定装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6848850B2
,2021-03-24
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