シリコンウェーハのニッケル濃度測定方法[ja]

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申请号
JP20110199693
申请日
2011-09-13
公开(公告)号
JP5614390B2
公开(公告)日
2014-10-29
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/66
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6458874B2 ,2019-01-30
[2]
シリコンウェーハの極低酸素濃度測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6979007B2 ,2021-12-08
[3]
p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017061072A1 ,2018-02-22
[4]
シリコンウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6878188B2 ,2021-05-26
[5]
シリコンウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7487655B2 ,2024-05-21
[6]
[9]
シリコン基板の炭素濃度の測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7250216B2 ,2023-03-31