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容量素子を有する半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20090550544
申请日
:
2009-01-22
公开(公告)号
:
JPWO2009093633A1
公开(公告)日
:
2011-05-26
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/822
IPC分类号
:
H10N97/00
H01L27/04
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置、該半導体装置を有する表示装置、及び該半導体装置を有する電子機器[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017085591A1
,2018-09-06
[2]
酸化物半導体膜、該酸化物半導体膜を有する半導体装置、及び該半導体装置を有する表示装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016139556A1
,2018-01-11
[3]
半導体装置、及び該半導体装置を有する表示装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017130073A1
,2018-11-15
[4]
配線層、半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011052471A1
,2013-03-21
[5]
半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011162177A1
,2013-08-22
[6]
半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011024770A1
,2013-01-31
[7]
半導体装置、及び該半導体装置を有する電子機器[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017033082A1
,2018-07-05
[8]
酸化物半導体を有するトランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019102316A1
,2020-12-10
[9]
半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018066483A1
,2019-07-18
[10]
半導体装置、該半導体装置の作製方法、または該半導体装置を有する表示装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017085595A1
,2018-09-20
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