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金属酸化物半導体層形成用組成物及びそれを用いた金属酸化物半導体層の製造方法[ja]
被引：0
申请号：
JP20190099590
申请日：
2019-05-28
公开(公告)号：
JP6819896B2
公开(公告)日：
2021-01-27
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/368
IPC分类号：
H01L21/336
H01L29/786
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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