酸化物半導体ターゲット及びそれを用いた酸化物半導体装置の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20090096937

申请日：

2009-04-13

公开(公告)号：

JP5724157B2

公开(公告)日：

2015-05-27

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C23C14/34

IPC分类号：

C04B35/453 H01L21/336 H01L21/363 H01L29/786 H10B20/00

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共 50 条

[1]

酸化物半導体ターゲットおよび酸化物半導体材料、並びにそれらを用いた半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5983163B2 ,2016-08-31

[2]

酸化物半導体素子及び酸化物半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7173070B2 ,2022-11-16

[3]

酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7425933B1 ,2024-01-31

[4]

酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7493688B1 ,2024-05-31

[5]

酸化物半導体薄膜、酸化物半導体薄膜の製造方法及びそれを用いた薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017150115A1 ,2018-12-27

[6]

酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法、酸化物半導体素子を含む表示装置、及び酸化物半導体素子を含む表示装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5905692B2 ,2016-04-20

[7]

酸化物半導体装置、および、酸化物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6685476B2 ,2020-04-22

[8]

酸化物半導体装置、および、酸化物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019003861A1 ,2019-11-07

[9]

金属酸化物半導体層形成用組成物及びそれを用いた金属酸化物半導体層の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6819896B2 ,2021-01-27

[10]

金属酸化物半導体層形成用組成物及びそれを用いた金属酸化物半導体層の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016010052A1 ,2017-07-06

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