ｐチャネル薄膜トランジスタとその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20100521665

申请日：

2009-07-03

公开(公告)号：

JPWO2010010802A1

公开(公告)日：

2012-01-05

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/205 H01L21/336

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法律状态信息

共 50 条

[1]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

SAKAI TOSHIHIKO ;

HIGASHI DAISUKE ;

FUJIWARA MASAYOSHI .

日本专利 :JP2025074478A ,2025-05-14

[2]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010047326A1 ,2012-03-22

[3]

薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010047077A1 ,2012-03-22

[4]

薄膜トランジスタ、表示パネル及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012144165A1 ,2014-07-28

[5]

薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示パネル[ja] [P].

日本专利 :JP2020512689A ,2020-04-23

[6]

薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015059850A1 ,2017-03-09

[7]

薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2015521804A ,2015-07-30

[8]

薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011027467A1 ,2013-01-31

[9]

薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015083303A1 ,2017-03-16

[10]

薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018225822A1 ,2020-05-21

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