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半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20140536683
申请日
:
2013-08-13
公开(公告)号
:
JPWO2014045766A1
公开(公告)日
:
2016-08-18
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L23/473
IPC分类号
:
H05K7/20
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015141384A1
,2017-04-06
[2]
半導体装置、及び、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
NAKANO HAYATO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJI ELECTRIC CO LTD
FUJI ELECTRIC CO LTD
NAKANO HAYATO
.
日本专利
:JP2024048689A
,2024-04-09
[3]
半導体装置の製造方法および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015137109A1
,2017-04-06
[4]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016121159A1
,2017-04-27
[5]
半導体装置の製造装置及び製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004086476A1
,2006-06-29
[6]
半導体装置、電力変換装置、及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
YATABE KO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
HITACHI ASTEMO LTD
HITACHI ASTEMO LTD
YATABE KO
;
HIRAI NAOTO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
HITACHI ASTEMO LTD
HITACHI ASTEMO LTD
HIRAI NAOTO
.
日本专利
:JP2024106085A
,2024-08-07
[7]
半導体装置、電力変換装置、及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025167526A
,2025-11-07
[8]
半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022179649A
,2022-12-02
[9]
半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016021565A1
,2017-04-27
[10]
半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014069174A1
,2016-09-08
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