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半導体装置の製造方法および半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20160507433
申请日
:
2015-02-24
公开(公告)号
:
JPWO2015137109A1
公开(公告)日
:
2017-04-06
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L23/40
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016121159A1
,2017-04-27
[2]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015141384A1
,2017-04-06
[3]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014045766A1
,2016-08-18
[4]
半導体装置、及び、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
NAKANO HAYATO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJI ELECTRIC CO LTD
FUJI ELECTRIC CO LTD
NAKANO HAYATO
.
日本专利
:JP2024048689A
,2024-04-09
[5]
半導体装置、電力変換装置、および半導体装置の製造方法[ja]
[P].
NAKADA YOSUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
NAKADA YOSUKE
;
SATO YUJI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
SATO YUJI
;
YOSHIDA KENTARO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
YOSHIDA KENTARO
;
HAYASHI KEI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
HAYASHI KEI
.
日本专利
:JP2024179082A
,2024-12-26
[6]
冷却器、冷却器の製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7686137B2
,2025-05-30
[7]
電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7072624B1
,2022-05-20
[8]
半導体装置の製造装置及び製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004086476A1
,2006-06-29
[9]
半導体装置および半導体装置用冷却器[ja]
[P].
日本专利
:JP5900610B2
,2016-04-06
[10]
半導体装置および半導体装置用冷却器[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013157467A1
,2015-12-21
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