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マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170507534
申请日
:
2016-01-19
公开(公告)号
:
JPWO2016152212A1
公开(公告)日
:
2018-01-11
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G03F1/32
IPC分类号
:
C23C14/06
G03F1/72
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5940755B1
,2016-06-29
[2]
マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016103843A1
,2017-04-27
[3]
マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5779290B1
,2015-09-16
[4]
マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018016262A1
,2019-04-04
[5]
マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018056033A1
,2018-09-27
[6]
位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、及び位相シフトマスクの製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014171510A1
,2017-02-23
[7]
マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5823655B1
,2015-11-25
[8]
マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015141078A1
,2017-04-06
[9]
マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017077915A1
,2017-11-02
[10]
マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017141605A1
,2018-10-18
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