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位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、及び位相シフトマスクの製造装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20150512519
申请日
:
2014-04-17
公开(公告)号
:
JPWO2014171510A1
公开(公告)日
:
2017-02-23
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G03F1/26
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018016262A1
,2019-04-04
[2]
マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018056033A1
,2018-09-27
[3]
マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014010408A1
,2016-06-23
[4]
マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016152212A1
,2018-01-11
[5]
マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5940755B1
,2016-06-29
[6]
マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016103843A1
,2017-04-27
[7]
マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5779290B1
,2015-09-16
[8]
マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017077915A1
,2017-11-02
[9]
マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017141605A1
,2018-10-18
[10]
フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク[ja]
[P].
MATSUHASHI NAOKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
MATSUHASHI NAOKI
.
日本专利
:JP2023065616A
,2023-05-12
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