マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20170567992

申请日：

2017-01-17

公开(公告)号：

JPWO2017141605A1

公开(公告)日：

2018-10-18

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

G03F1/80

IPC分类号：

C23C14/04 C23C14/06 G03F1/30 G03F7/20 H01L21/3065

代理机构：

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共 50 条

[1]

マスクブランク、マスクブランクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017038213A1 ,2017-08-31

[2]

マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017077915A1 ,2017-11-02

[3]

マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6158460B1 ,2017-07-05

[4]

マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018016262A1 ,2019-04-04

[5]

マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018056033A1 ,2018-09-27

[6]

マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5779290B1 ,2015-09-16

[7]

マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016152212A1 ,2018-01-11

[8]

マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5940755B1 ,2016-06-29

[9]

マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016103843A1 ,2017-04-27

[10]

マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5823655B1 ,2015-11-25

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