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マスクブランク、マスクブランクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170517128
申请日
:
2016-06-20
公开(公告)号
:
JPWO2017038213A1
公开(公告)日
:
2017-08-31
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G03F1/30
IPC分类号
:
G03F1/72
G03F1/80
G03F1/84
G03F7/20
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018181891A1
,2020-02-06
[2]
マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5779290B1
,2015-09-16
[3]
マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017077915A1
,2017-11-02
[4]
マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017141605A1
,2018-10-18
[5]
マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6158460B1
,2017-07-05
[6]
マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5823655B1
,2015-11-25
[7]
マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017057376A1
,2017-10-05
[8]
マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015141078A1
,2017-04-06
[9]
マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6133530B1
,2017-05-24
[10]
マスクブランクス、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004088421A1
,2006-07-06
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