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パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20110518632
申请日
:
2010-12-06
公开(公告)号
:
JPWO2011077933A1
公开(公告)日
:
2013-05-02
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/34
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009123055A1
,2011-07-28
[2]
スパッタターゲット、及びスパッタターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020511598A
,2020-04-16
[3]
スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020066114A1
,2021-10-21
[4]
スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020261748A1
,2021-09-13
[5]
パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012011294A1
,2013-09-09
[6]
パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013027443A1
,2015-03-19
[7]
スパッタリングターゲット材、及びスパッタリングターゲット材の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6996019B1
,2022-01-17
[8]
スパッタリングターゲット材、及びスパッタリングターゲット材の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022165884A
,2022-11-01
[9]
スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010101051A1
,2012-09-06
[10]
スパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017115648A1
,2017-12-28
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