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スパッタリングターゲットの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170540657
申请日
:
2016-12-13
公开(公告)号
:
JPWO2017115648A1
公开(公告)日
:
2017-12-28
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/34
IPC分类号
:
B22F3/105
B22F3/16
B22F7/00
C04B35/653
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020066114A1
,2021-10-21
[2]
スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020261748A1
,2021-09-13
[3]
スパッタリングターゲット材、及びスパッタリングターゲット材の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6996019B1
,2022-01-17
[4]
スパッタリングターゲット材、及びスパッタリングターゲット材の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022165884A
,2022-11-01
[5]
スパッタリングターゲット、およびスパッタリングターゲットの作製方法[ja]
[P].
YAMAZAKI SHUNPEI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
YAMAZAKI SHUNPEI
;
SATO YUICHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SATO YUICHI
;
ISAKA FUMITO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
ISAKA FUMITO
;
ONO TOSHIKAZU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
ONO TOSHIKAZU
.
日本专利
:JP2024007429A
,2024-01-18
[6]
酸化物スパッタリングターゲット、及び、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7028268B2
,2022-03-02
[7]
酸化物スパッタリングターゲット、及び酸化物スパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6414165B2
,2018-10-31
[8]
スパッタリングターゲット材、及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6557750B1
,2019-08-07
[9]
酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7359836B2
,2023-10-11
[10]
酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7456992B2
,2024-03-27
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