SiCデバイス及びSiCデバイスの製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20220185707
申请日
2022-11-21
公开(公告)号
JP2023024445A
公开(公告)日
2023-02-16
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/205
IPC分类号
C30B29/36
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
SiCデバイス及びSiCデバイスの製造方法[ja] [P]. 
TANAKA KENSHO ;
UMEDA KIICHI .
日本专利 :JP2024050958A ,2024-04-10
[2]
光デバイスの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019239968A1 ,2021-06-24
[3]
蓄電デバイスおよび蓄電デバイスの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025174314A ,2025-11-28
[4]
流体デバイスの駆動方法、及び流体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025178954A ,2025-12-09
[6]
表示デバイスの素子構造及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008050710A1 ,2010-02-25
[7]
表示デバイス[ja] [P]. 
ASHIKAWA YOSHIMITSU .
日本专利 :JP2025089754A ,2025-06-16
[9]
蓄電デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025180585A ,2025-12-11
[10]
蓄電デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013114785A1 ,2015-05-11