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SiCデバイス及びSiCデバイスの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240023280
申请日
:
2024-02-19
公开(公告)号
:
JP2024050958A
公开(公告)日
:
2024-04-10
发明(设计)人
:
TANAKA KENSHO
UMEDA KIICHI
申请人
:
RESONAC HOLDINGS CORP
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/205
IPC分类号
:
C23C16/42
C30B25/20
C30B29/36
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
SiCデバイス及びSiCデバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023024445A
,2023-02-16
[2]
光デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019239968A1
,2021-06-24
[3]
蓄電デバイスおよび蓄電デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025174314A
,2025-11-28
[4]
流体デバイスの駆動方法、及び流体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2025178954A
,2025-12-09
[5]
成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011122546A1
,2013-07-08
[6]
表示デバイスの素子構造及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008050710A1
,2010-02-25
[7]
表示デバイス[ja]
[P].
ASHIKAWA YOSHIMITSU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOPPAN HOLDINGS INC
TOPPAN HOLDINGS INC
ASHIKAWA YOSHIMITSU
.
日本专利
:JP2025089754A
,2025-06-16
[8]
非水電解液、電気化学デバイス前駆体、電気化学デバイス、及び電気化学デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7097524B1
,2022-07-07
[9]
蓄電デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2025180585A
,2025-12-11
[10]
蓄電デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013114785A1
,2015-05-11
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