位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク[ja]

被引：0

申请号：

JP20100518050

申请日：

2009-06-25

公开(公告)号：

JPWO2009157506A1

公开(公告)日：

2011-12-15

发明(设计)人：

申请人：

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IPC主分类号：

G03F1/08

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法律状态信息

共 50 条

[1]

位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018181891A1 ,2020-02-06

[2]

大型位相シフトマスクおよび大型位相シフトマスクの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013058385A1 ,2015-04-02

[3]

マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5779290B1 ,2015-09-16

[4]

フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009123171A1 ,2011-07-28

[5]

フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009123170A1 ,2011-07-28

[6]

フォトマスクブランク及びフォトマスク[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008139904A1 ,2010-07-29

[7]

フォトマスクブランク、及びフォトマスク[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004051369A1 ,2006-04-06

[8]

マスクブランク、マスクブランクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017038213A1 ,2017-08-31

[9]

マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5823655B1 ,2015-11-25

[10]

マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017057376A1 ,2017-10-05

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