半導体装置および半導体装置の製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20180529409
申请日
2017-06-08
公开(公告)号
JPWO2018020849A1
公开(公告)日
2018-11-01
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/872
IPC分类号
H01L21/329 H01L29/06 H01L29/41 H01L29/47
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015098225A1 ,2017-03-23
[2]
半導体装置の製造方法および半導体装置[ja] [P]. 
IKEJIRI MASAHIRO ;
TERABAYASHI MASAKI ;
MAEKAWA KOJI ;
AKIYAMA KOJI .
日本专利 :JP2024067682A ,2024-05-17
[3]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7023438B1 ,2022-02-21
[4]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2005013374A1 ,2006-09-28
[5]
半導体装置の製造方法および半導体装置[ja] [P]. 
IKEJIRI MASAHIRO ;
AKIYAMA KOJI ;
FUJIWARA NAONORI ;
YAMAZAKI KAZUYOSHI .
日本专利 :JP2024051448A ,2024-04-11
[6]
半導体装置の製造方法、および、半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019049632A1 ,2019-11-07
[7]
[8]
[9]
[10]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020084406A1 ,2021-10-28