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パワー半導体モジュール[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190079157
申请日
:
2019-04-18
公开(公告)号
:
JP6736132B1
公开(公告)日
:
2020-08-05
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L23/29
IPC分类号
:
H01L21/52
H01L21/60
H01L23/31
H01L25/07
H01L25/18
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体モジュールの製造方法及び半導体モジュール[ja]
[P].
YAMASAKI MASANAO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
YAMASAKI MASANAO
;
KOBAYASHI TOSHIYUKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
KOBAYASHI TOSHIYUKI
.
日本专利
:JP2024076814A
,2024-06-06
[2]
半導体モジュールの製造方法および半導体モジュール[ja]
[P].
YAMASAKI MASANAO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MINEBEA POWER SEMICONDUCTOR DEVICE INC
MINEBEA POWER SEMICONDUCTOR DEVICE INC
YAMASAKI MASANAO
;
KOSEKI KATSUYA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MINEBEA POWER SEMICONDUCTOR DEVICE INC
MINEBEA POWER SEMICONDUCTOR DEVICE INC
KOSEKI KATSUYA
;
KOBAYASHI TOSHIYUKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MINEBEA POWER SEMICONDUCTOR DEVICE INC
MINEBEA POWER SEMICONDUCTOR DEVICE INC
KOBAYASHI TOSHIYUKI
;
TADANO AKIYOSHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MINEBEA POWER SEMICONDUCTOR DEVICE INC
MINEBEA POWER SEMICONDUCTOR DEVICE INC
TADANO AKIYOSHI
.
日本专利
:JP2025042174A
,2025-03-27
[3]
高周波モジュール[ja]
[P].
日本专利
:JP2022117706A
,2022-08-12
[4]
積層体、及び半導体パッケージ[ja]
[P].
日本专利
:JP2025178713A
,2025-12-09
[5]
接合構造体、半導体パッケージおよび半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019082602A1
,2020-11-12
[6]
放熱構造体及びそれを利用した半導体モジュール[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016043095A1
,2017-05-25
[7]
熱電変換モジュールの製造方法、熱電変換モジュール及び熱電変換モジュール用接合材[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019082932A1
,2020-11-12
[8]
電気化学セル、電気化学セル装置、モジュールおよびモジュール収容装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2025132638A
,2025-09-10
[9]
半導体パッケージ及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006117961A1
,2008-12-18
[10]
EMIシールド工程及び通信モジュール製品[ja]
[P].
日本专利
:JP2022552897A
,2022-12-20
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