パワー半導体モジュール[ja]

被引:0
申请号
JP20190079157
申请日
2019-04-18
公开(公告)号
JP6736132B1
公开(公告)日
2020-08-05
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L23/29
IPC分类号
H01L21/52 H01L21/60 H01L23/31 H01L25/07 H01L25/18
代理机构
代理人
法律状态
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共 50 条
[1]
半導体モジュールの製造方法及び半導体モジュール[ja] [P]. 
YAMASAKI MASANAO ;
KOBAYASHI TOSHIYUKI .
日本专利 :JP2024076814A ,2024-06-06
[2]
半導体モジュールの製造方法および半導体モジュール[ja] [P]. 
YAMASAKI MASANAO ;
KOSEKI KATSUYA ;
KOBAYASHI TOSHIYUKI ;
TADANO AKIYOSHI .
日本专利 :JP2025042174A ,2025-03-27
[3]
高周波モジュール[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022117706A ,2022-08-12
[4]
積層体、及び半導体パッケージ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025178713A ,2025-12-09
[5]
接合構造体、半導体パッケージおよび半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019082602A1 ,2020-11-12
[6]
放熱構造体及びそれを利用した半導体モジュール[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016043095A1 ,2017-05-25
[9]
半導体パッケージ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006117961A1 ,2008-12-18
[10]
EMIシールド工程及び通信モジュール製品[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022552897A ,2022-12-20