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環状化合物、環状化合物の製造方法、環状化合物からなるフォトレジスト基材、フォトレジスト組成物、微細加工方法、半導体装置及び装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20100505813
申请日
:
2009-03-27
公开(公告)号
:
JPWO2009119784A1
公开(公告)日
:
2011-07-28
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G03F7/004
IPC分类号
:
C07C39/17
C07C43/21
C07C69/712
G03F7/039
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
環状化合物、フォトレジスト基材及びフォトレジスト組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008153154A1
,2010-08-26
[2]
環状化合物、フォトレジスト基材、フォトレジスト組成物、微細加工方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009075308A1
,2011-04-28
[3]
化合物及びフォトレジスト組成物[ja]
[P].
日本专利
:JP5857522B2
,2016-02-10
[4]
環状化合物及びそれを用いたフォトレジスト組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010067621A1
,2012-05-17
[5]
フォトレジスト組成物、化合物及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013140969A1
,2015-08-03
[6]
環状ジケトン化合物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7738514B2
,2025-09-12
[7]
環状ジケトン化合物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6691769B2
,2020-05-13
[8]
環状ジケトン化合物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7707121B2
,2025-07-14
[9]
化合物、重合体及びフォトレジスト組成物[ja]
[P].
日本专利
:JP5737114B2
,2015-06-17
[10]
置換基を導入した環状化合物の製造方法及びフォトレジスト基材[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009001927A1
,2010-08-26
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