環状化合物、フォトレジスト基材、フォトレジスト組成物、微細加工方法及び半導体装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20090545437

申请日：

2008-12-11

公开(公告)号：

JPWO2009075308A1

公开(公告)日：

2011-04-28

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C07C43/23

IPC分类号：

C07C41/30 C07C51/373 C07C59/70 C07C67/313 C07C69/712 G03F7/004 G03F7/039 H01L21/027

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

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共 50 条

[1]

環状化合物、フォトレジスト基材及びフォトレジスト組成物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008153154A1 ,2010-08-26

[2]

環状化合物、環状化合物の製造方法、環状化合物からなるフォトレジスト基材、フォトレジスト組成物、微細加工方法、半導体装置及び装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009119784A1 ,2011-07-28

[3]

化合物及びフォトレジスト組成物[ja] [P].

日本专利 :JP5857522B2 ,2016-02-10

[4]

フォトレジスト組成物[ja] [P].

日本专利 :JP2015501954A ,2015-01-19

[5]

フォトレジスト組成物[ja] [P].

日本专利 :JP2020516939A ,2020-06-11

[6]

フォトレジスト組成物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009122753A1 ,2011-07-28

[7]

フォトレジスト剥離剤組成物及びフォトレジスト剥離方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010119753A1 ,2012-10-22

[8]

化合物、重合体及びフォトレジスト組成物[ja] [P].

日本专利 :JP5737114B2 ,2015-06-17

[9]

フォトレジスト剥離組成物[ja] [P].

日本专利 :JP2021505958A ,2021-02-18

[10]

フォトレジスト下層組成物[ja] [P].

ANTON CHAVEZ ;

KE YOUCHENG ;

YAMADA SHINTARO .

日本专利 :JP2024043506A ,2024-03-29

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