フォトレジスト下層組成物[ja]

被引：0

申请号：

JP20230146239

申请日：

2023-09-08

公开(公告)号：

JP2024043506A

公开(公告)日：

2024-03-29

发明(设计)人：

ANTON CHAVEZ KE YOUCHENG YAMADA SHINTARO

申请人：

ROHM & HAAS ELECT MAT

申请人地址：

IPC主分类号：

G03F7/11

IPC分类号：

C08G61/12 C08G73/10 G03F7/20

代理机构：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

フォトレジスト組成物[ja] [P].

日本专利 :JP2015501954A ,2015-01-19

[2]

フォトレジスト組成物[ja] [P].

日本专利 :JP2020516939A ,2020-06-11

[3]

フォトレジスト組成物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009122753A1 ,2011-07-28

[4]

フォトレジスト剥離組成物[ja] [P].

日本专利 :JP2021505958A ,2021-02-18

[5]

フォトレジスト用樹脂組成物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012026465A1 ,2013-10-28

[6]

環状化合物、フォトレジスト基材及びフォトレジスト組成物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008153154A1 ,2010-08-26

[7]

レジスト下層膜形成組成物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016063805A1 ,2017-08-03

[8]

レジスト下層膜形成組成物[ja] [P].

ENDO TAKAFUMI ;

TOKUNAGA HIKARU ;

HASHIMOTO KEISUKE ;

SAKAMOTO RIKIMARU .

日本专利 :JP2025016600A ,2025-02-04

[9]

レジスト下層膜形成組成物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018203540A1 ,2020-03-19

[10]

レジスト下層膜形成組成物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017187969A1 ,2019-02-28

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