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半導体発光装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20130506847
申请日
:
2011-06-30
公开(公告)号
:
JPWO2012131792A1
公开(公告)日
:
2014-07-24
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L33/50
IPC分类号
:
C09K11/08
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体発光装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007018039A1
,2009-02-19
[2]
半導体発光装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012132232A1
,2014-07-24
[3]
半導体発光素子および発光装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012132236A1
,2014-07-24
[4]
半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6006895B1
,2016-10-12
[5]
光半導体素子用封止剤及び光半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008153125A1
,2010-08-26
[6]
不揮発性半導体記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011092821A1
,2013-05-30
[7]
半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013168314A1
,2015-12-24
[8]
不揮発性半導体メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011036775A1
,2013-02-14
[9]
半導体薄膜、半導体薄膜の製造方法、および、半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008139860A1
,2010-07-29
[10]
発光装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013001686A1
,2015-02-23
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