半導体発光装置[ja]

被引:0
申请号
JP20130506847
申请日
2011-06-30
公开(公告)号
JPWO2012131792A1
公开(公告)日
2014-07-24
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L33/50
IPC分类号
C09K11/08
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体発光装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007018039A1 ,2009-02-19
[2]
半導体発光装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012132232A1 ,2014-07-24
[3]
半導体発光素子および発光装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012132236A1 ,2014-07-24
[4]
半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6006895B1 ,2016-10-12
[5]
光半導体素子用封止剤及び光半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008153125A1 ,2010-08-26
[6]
不揮発性半導体記憶装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011092821A1 ,2013-05-30
[7]
半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013168314A1 ,2015-12-24
[8]
不揮発性半導体メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011036775A1 ,2013-02-14
[10]
発光装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013001686A1 ,2015-02-23