接合型半導体装置およびその製造方法[ja]

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申请号
JP20100526710
申请日
2009-08-25
公开(公告)号
JPWO2010024237A1
公开(公告)日
2012-01-26
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/80
IPC分类号
H01L21/331 H01L21/337 H01L29/732 H01L29/808
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012077617A1 ,2014-05-19
[2]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018037530A1 ,2018-08-23
[3]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025171346A ,2025-11-20
[4]
半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法[ja] [P]. 
KAMINO DAIKI ;
KAMIYAMA SATOSHI .
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[5]
ヘテロpn接合半導体とその製造方法[ja] [P]. 
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[6]
[7]
窒化物系半導体発光素子およびその製造方法[ja] [P]. 
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[8]
[9]
導電性部材およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018199327A1 ,2020-05-07