学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
接合型半導体装置およびその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20100526710
申请日
:
2009-08-25
公开(公告)号
:
JPWO2010024237A1
公开(公告)日
:
2012-01-26
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/80
IPC分类号
:
H01L21/331
H01L21/337
H01L29/732
H01L29/808
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012077617A1
,2014-05-19
[2]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018037530A1
,2018-08-23
[3]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025171346A
,2025-11-20
[4]
半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法[ja]
[P].
KAMINO DAIKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KOITO MFG CO LTD
KOITO MFG CO LTD
KAMINO DAIKI
;
KAMIYAMA SATOSHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KOITO MFG CO LTD
KOITO MFG CO LTD
KAMIYAMA SATOSHI
.
日本专利
:JP2025109639A
,2025-07-25
[5]
ヘテロpn接合半導体とその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010098464A1
,2012-09-06
[6]
半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2025002441A
,2025-01-09
[7]
窒化物系半導体発光素子およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012157198A1
,2014-07-31
[8]
半導体装置、パワーモジュール、およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017138402A1
,2018-11-29
[9]
導電性部材およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018199327A1
,2020-05-07
[10]
半導体装置、電力変換装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7074267B1
,2022-05-24
←
1
2
3
4
5
→