ヘテロｐｎ接合半導体とその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20110501678

申请日：

2010-02-26

公开(公告)号：

JPWO2010098464A1

公开(公告)日：

2012-09-06

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L31/04

IPC分类号：

H01L29/861 H01L29/868 H10K99/00

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法律状态信息

共 50 条

[1]

半導体装置とその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006011196A1 ,2008-05-01

[2]

接合構造体とその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014073086A1 ,2016-09-08

[3]

半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013153777A1 ,2015-12-17

[4]

接合型半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010024237A1 ,2012-01-26

[5]

半導体装置、半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025144693A ,2025-10-03

[6]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007116445A1 ,2009-08-20

[7]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011043448A1 ,2013-03-04

[8]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

WATAKABE SO ;

TSUBUKI MASASHI ;

SASAKI TOSHINARI ;

HANADA AKIHIRO ;

TAMARU TAKAYA .

日本专利 :JP2024053987A ,2024-04-16

[9]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025003371A ,2025-01-09

[10]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2002056382A1 ,2004-05-20

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