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プラズマ耐食性希土類酸化物系薄膜コーティング[ja]
被引:0
申请号
:
JP20160521573
申请日
:
2014-06-19
公开(公告)号
:
JP6496308B2
公开(公告)日
:
2019-04-03
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/08
IPC分类号
:
C23C4/11
C23C14/48
C23C28/04
H01L21/3065
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
プラズマ耐食性希土類酸化物系薄膜コーティング[ja]
[P].
日本专利
:JP2016528380A
,2016-09-15
[2]
プラズマ耐食性希土類酸化物系薄膜コーティング[ja]
[P].
日本专利
:JP7368398B2
,2023-10-24
[3]
プラズマ耐食性希土類酸化物系薄膜コーティング[ja]
[P].
日本专利
:JP7691453B2
,2025-06-11
[4]
プラズマ耐食性希土類酸化物系薄膜コーティング[ja]
[P].
日本专利
:JP6820359B2
,2021-01-27
[5]
半導体アプリケーション用希土類酸化物系耐食性コーティング[ja]
[P].
日本专利
:JP2016516887A
,2016-06-09
[6]
半導体アプリケーション用希土類酸化物系耐食性コーティング[ja]
[P].
日本专利
:JP6064060B2
,2017-01-18
[7]
半導体アプリケーション用希土類酸化物系耐食性コーティング[ja]
[P].
日本专利
:JP6678098B2
,2020-04-08
[8]
半導体アプリケーション用希土類酸化物系耐食性コーティング[ja]
[P].
日本专利
:JP6971726B2
,2021-11-24
[9]
プロセスリング上の希土類酸化物系薄膜コーティング用イオンアシスト蒸着[ja]
[P].
日本专利
:JP6714571B2
,2020-06-24
[10]
プロセスリング上の希土類酸化物系薄膜コーティング用イオンアシスト蒸着[ja]
[P].
日本专利
:JP2016525287A
,2016-08-22
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