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コンビナトリアル合成によるダイヤモンド単位格子およびダイヤモンド塊[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170515678
申请日
:
2015-05-15
公开(公告)号
:
JP2017523120A
公开(公告)日
:
2017-08-17
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C01B32/25
IPC分类号
:
C01B32/26
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
単結晶ダイヤモンドの製造方法および単結晶ダイヤモンド[ja]
[P].
日本专利
:JP7033824B1
,2022-03-11
[2]
ダイヤモンドイド化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP7700049B2
,2025-06-30
[3]
ダイヤモンドイド化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP2022532554A
,2022-07-15
[4]
微細ダイヤモンドの製造方法及び微細ダイヤモンド[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007001031A1
,2009-01-22
[5]
ナノダイヤモンド粒子分散液[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019146453A1
,2021-01-28
[6]
ナノダイヤモンド分散組成物[ja]
[P].
JO DAISUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DAICEL CORP
DAICEL CORP
JO DAISUKE
;
TAKEUCHI SHUICHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DAICEL CORP
DAICEL CORP
TAKEUCHI SHUICHI
;
MATSUNO NAOYOSHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DAICEL CORP
DAICEL CORP
MATSUNO NAOYOSHI
;
KIMOTO KUNIHIRO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DAICEL CORP
DAICEL CORP
KIMOTO KUNIHIRO
.
日本专利
:JP2025077831A
,2025-05-19
[7]
表面修飾ナノダイヤモンド、表面修飾ナノダイヤモンド分散液、及び樹脂分散体[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018186382A1
,2020-02-20
[8]
ダイヤモンド半導体整流素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006087937A1
,2008-07-03
[9]
ダイヤモンド半導体の直接付加合成[ja]
[P].
日本专利
:JP2022172207A
,2022-11-15
[10]
アザインドリルピリドンおよびジアザインドリルピリドン化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP2023021277A
,2023-02-10
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