ダイヤモンド半導体整流素子[ja]

被引：0

申请号：

JP20070503618

申请日：

2006-02-07

公开(公告)号：

JPWO2006087937A1

公开(公告)日：

2008-07-03

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/47

IPC分类号：

H01L21/28 H01L29/872

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法律状态信息

共 50 条

[1]

ダイヤモンド半導体の直接付加合成[ja] [P].

日本专利 :JP2022172207A ,2022-11-15

[2]

ダイヤモンドイド化合物[ja] [P].

日本专利 :JP7700049B2 ,2025-06-30

[3]

ダイヤモンドイド化合物[ja] [P].

日本专利 :JP2022532554A ,2022-07-15

[4]

ダイヤモンド−半導体複合基板を製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018514498A ,2018-06-07

[5]

半導体ダイヤモンドデバイス用オーミック電極[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011010654A1 ,2013-01-07

[6]

微細ダイヤモンドの製造方法及び微細ダイヤモンド[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007001031A1 ,2009-01-22

[7]

ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜の多接合薄膜太陽電池装置[ja] [P].

日本专利 :JP3234179U ,2021-09-24

[8]

半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020137283A1 ,2021-11-11

[9]

ナノダイヤモンド粒子分散液[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019146453A1 ,2021-01-28

[10]

光半導体用熱硬化性組成物、光半導体素子用ダイボンド材、光半導体素子用アンダーフィル材、光半導体素子用封止剤及び光半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008108326A1 ,2010-06-17

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