半導体ダイヤモンドデバイス用オーミック電極[ja]

被引：0

申请号：

JP20110523669

申请日：

2010-07-21

公开(公告)号：

JPWO2011010654A1

公开(公告)日：

2013-01-07

发明(设计)人：

申请人：

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IPC主分类号：

H01L21/28

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共 50 条

[1]

ダイヤモンド半導体整流素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006087937A1 ,2008-07-03

[2]

蓄電デバイス用バインダー[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013161828A1 ,2015-12-24

[3]

蓄電デバイス用バインダー組成物、蓄電デバイス電極用スラリー、蓄電デバイス電極、及び蓄電デバイス[ja] [P].

HEIGUCHI SADATOSHI .

日本专利 :JP2024098720A ,2024-07-24

[4]

蓄電デバイス用バインダー組成物、蓄電デバイス電極用スラリー、蓄電デバイス電極及び蓄電デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018221197A1 ,2020-05-21

[5]

半導体デバイス用基板[ja] [P].

日本专利 :JP2016507450A ,2016-03-10

[6]

リチウムイオン電池電極用バインダー[ja] [P].

KODA CHIKAKO ;

YAMASHITA TATSUYA ;

FUKUDA KAZUYUKI ;

GOGYO YUMA ;

TAJIMA SEIYA .

日本专利 :JP2025064744A ,2025-04-17

[7]

蓄電デバイスバインダー水溶液、蓄電デバイススラリー、蓄電デバイス電極、蓄電デバイスセパレータ、蓄電デバイスセパレータ／電極積層体及び蓄電デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP7040663B1 ,2022-03-23

[8]

ダイヤモンド半導体の直接付加合成[ja] [P].

日本专利 :JP2022172207A ,2022-11-15

[9]

半導体光デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016006298A1 ,2017-04-27

[10]

光半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016103835A1 ,2017-10-05

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