ダイヤモンド半導体の直接付加合成[ja]

被引:0
申请号
JP20220133241
申请日
2022-08-24
公开(公告)号
JP2022172207A
公开(公告)日
2022-11-15
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
B33Y30/00
IPC分类号
B28B1/30
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
ダイヤモンド半導体整流素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006087937A1 ,2008-07-03
[2]
[3]
ダイヤモンドイド化合物[ja] [P]. 
日本专利 :JP7700049B2 ,2025-06-30
[4]
ダイヤモンドイド化合物[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022532554A ,2022-07-15
[6]
ダイヤモンド−半導体複合基板を製造する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2018514498A ,2018-06-07
[7]
半導体ダイヤモンドデバイス用オーミック電極[ja] [P]. 
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[9]
ナノダイヤモンド粒子分散液[ja] [P]. 
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[10]
ベンズイミダゾール誘導体の酸付加塩[ja] [P]. 
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