学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
ダイヤモンド半導体の直接付加合成[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220133241
申请日
:
2022-08-24
公开(公告)号
:
JP2022172207A
公开(公告)日
:
2022-11-15
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
B33Y30/00
IPC分类号
:
B28B1/30
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
ダイヤモンド半導体整流素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006087937A1
,2008-07-03
[2]
微細ダイヤモンドの製造方法及び微細ダイヤモンド[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007001031A1
,2009-01-22
[3]
ダイヤモンドイド化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP7700049B2
,2025-06-30
[4]
ダイヤモンドイド化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP2022532554A
,2022-07-15
[5]
CVDダイヤモンド半導体薄膜の多接合薄膜太陽電池装置[ja]
[P].
日本专利
:JP3234179U
,2021-09-24
[6]
ダイヤモンド−半導体複合基板を製造する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2018514498A
,2018-06-07
[7]
半導体ダイヤモンドデバイス用オーミック電極[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011010654A1
,2013-01-07
[8]
単結晶ダイヤモンドの製造方法および単結晶ダイヤモンド[ja]
[P].
日本专利
:JP7033824B1
,2022-03-11
[9]
ナノダイヤモンド粒子分散液[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019146453A1
,2021-01-28
[10]
ベンズイミダゾール誘導体の酸付加塩[ja]
[P].
日本专利
:JP2019529557A
,2019-10-17
←
1
2
3
4
5
→